| 发明名称 |
A method of forming high-stability metallic contacts in an integrated circuit with one or more metallized layers |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0543254(B1) |
申请公布日期 |
1999.09.22 |
| 申请号 |
EP19920119191 |
申请日期 |
1992.11.10 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
BALDI, LIVIO |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768;H01L23/52;(IPC1-7):H01L21/285;H01L23/485 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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