发明名称 具有输出冗余取代选择信号装置的半导体存储器件
摘要 一种半导体存储器件,具有输出每个存储体的冗余取代选择信号的冗余存储选择电路XRDN。在刷新操作时,每个冗余译码器XRED只比较由行地址信号XADD表示的地址与所存储的故障存储单元的地址,而不参考包含于行地址信号XADD中的存储体选择信号。冗余存储单元选择电路XRDN为各存储体A和B输出冗余取代选择信号XRDNS(A)、(B),以表示将用冗余存储单元进行取代的存储体。
申请公布号 CN1229249A 申请公布日期 1999.09.22
申请号 CN99103363.9 申请日期 1999.03.16
申请人 日本电气株式会社 发明人 藤田真盛
分类号 G11C11/40;H01L27/108 主分类号 G11C11/40
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;余朦
主权项 1.半导体存储器件,包括:多个存储体,其包括具有多个存储单元的一个存储单元块,用于取代存储单元中的故障存储单元的多个冗余存储单元,所说多个存储体能够彼此独立地进行读/写;由所说多个存储体共享的多个冗余译码器,用于存储故障存储单元和该故障存储单元所属的存储体的地址,在数据读/写操作中,分别比较一个地址和由所提供的地址信号表示的存储体选择信号与故障存储单元和该故障存储单元所属存储体的地址,在刷新操作中,只比较由地址信号表示的地址与故障存储单元的地址;取代存储单元存储装置,存储用于取代故障存储单元的冗余存储单元的地址,激活将取代故障存储单元的冗余存储单元,并给所说每个存储体输出冗余取代选择信号,该信号表示在由地址信号表示的地址与存储于每个所说冗余译码器中的故障存储单元的地址匹配时,将用冗余存储单元进行取代的存储体。
地址 日本东京