发明名称 磁性多层薄膜之制造装置及制造方法,薄膜制造之评价方法,以及薄膜制造之控制方法
摘要 此磁性多层薄膜之制造装置之构造为,具有:在基板制造含有多数磁性薄膜之多层薄膜之多数的处理腔;和与大气隔开之状态下,搬运基板之搬运机构;和金属膜的处理腔,处理腔系具备有:处理包含在多层薄膜之金属膜的处理装置;和光学地评价金属膜之表面状态之光学式测量装置;和依据由此光学式测量光至所输出的测量讯号,以控制处理装置的动作之控制装置。在薄膜形成装置内,可在基板形成多层薄膜,可不将基板暴露于大气,于金属膜的处理工程中,管理该金属膜的表面状态,可没有过与不足地进行该金属膜的处理。
申请公布号 TW200733084 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW095140254 申请日期 2004.01.13
申请人 安内华股份有限公司 发明人 角田隆明;水野茂
分类号 G11B5/66(2006.01) 主分类号 G11B5/66(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本