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发明名称
磁性多层薄膜之制造装置及制造方法,薄膜制造之评价方法,以及薄膜制造之控制方法
摘要
此磁性多层薄膜之制造装置之构造为,具有:在基板制造含有多数磁性薄膜之多层薄膜之多数的处理腔;和与大气隔开之状态下,搬运基板之搬运机构;和金属膜的处理腔,处理腔系具备有:处理包含在多层薄膜之金属膜的处理装置;和光学地评价金属膜之表面状态之光学式测量装置;和依据由此光学式测量光至所输出的测量讯号,以控制处理装置的动作之控制装置。在薄膜形成装置内,可在基板形成多层薄膜,可不将基板暴露于大气,于金属膜的处理工程中,管理该金属膜的表面状态,可没有过与不足地进行该金属膜的处理。
申请公布号
TW200733084
申请公布日期
2007.09.01
申请号
TW095140254
申请日期
2004.01.13
申请人
安内华股份有限公司
发明人
角田隆明;水野茂
分类号
G11B5/66(2006.01)
主分类号
G11B5/66(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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