| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件,该器件能够将有源元件产生的热有效地传递给散热部件,同时提供了这种半导体器件的制作方法。在基片(如GaAs)上形成的有源元件的一个端子(如漏极)通过一层具有良好绝缘性和高热导率的绝缘部件(如氮化铝)与散热部件相接触。散热部件可以是与有源元件的另一端子相连的导电膜,也可以是封壳的散热片。 | ||
| 申请公布号 | CN1229278A | 申请公布日期 | 1999.09.22 |
| 申请号 | CN99102874.0 | 申请日期 | 1999.03.11 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 河野纯子;麻埜和则 |
| 分类号 | H01L23/36 | 主分类号 | H01L23/36 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其中包括：多个散热路径，每一路径用于有源元件预定数的端子之一，所述散热路径适于将热量从所述有源元件的端子向散热部件传递热，其中，所述端子预设数被设置成以致不使各端子之间被所述的热辐射路径和所述的散热部件连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||