单晶SiC及其制造方法

摘要

本发明是在α－SiC单晶基体材料(1)的表面上通过PVD法或热CVD法层叠厚度为10μm以上的β－SiC多晶片(2)构成复合体(M),然后对所形成的复合体(M)在1650～2400℃的温度范围内热处理,使β－SiC多晶片(2)的多晶体相变成为单晶体,生成与α－SiC单晶基体材料(1)的晶轴同方位取向的单晶体。该方法能容易且高效地制造没有微泡缺陷及因受其影响而产生的缺陷的高质量单晶SiC。

主权项

1.一种单晶SiC，其特征在于：该单晶SiC是通过在SiC单晶基体材料表面上层叠厚度为10μm以上的由Si原子及C原子构成的多晶片构成复合体，并对该复合体进行热处理，使上述多晶片的多晶体发生相变而长成的。