| 摘要 |
本发明之目的系于具有半导体电阻层的半导体装置之制造方法中，降低理论电阻值与实际电阻值的误差。本发明之半导体装置之制造方法的特征如下。于半导体基板1上的整面形成层间绝缘膜9，之后将该层间绝缘膜9予以选择性地蚀刻，而形成分别使多晶矽电阻层4、源极区域7以及汲极区域8的一部份显露出之接触孔10、11。将在多晶矽电阻层4中相邻的接触孔距离定义成电阻元件的长度L1、L2，以设定多晶矽电阻层4的图案化尺寸。接着，经由接触孔10进行离子注入，而于多晶矽电阻层4上形成低电阻区域15a至15c(高浓度导入杂质之区域)。接着，使用比源极区域/汲极区域热处理时还低的温度来进行该离子注入后的热处理(回火)。 |
