| 主权项 |
1.一种移除光阻和电浆蚀刻残留物的清洗方法,其包含步骤:(i)用pH在约2到约6之以水溶液为基础的清洗组成物与该底材接触;和(ii)用臭氧水冲洗该底材。2.根据申请专利范围第1项的方法,其中该清洗组成物具pH値从约2到约4。3.根据申请专利范围第1项的方法,其中系以该清洗组成物喷洒该底材使得该以水溶液为基础的清洗组成物与底材接触。4.根据申请专利范围第1项的方法,其中系用该臭氧水以喷洒冲洗的方式冲洗该底材。5.根据申请专利范围第1项的方法,其进一步包括使该底材行乾式剥除法的步骤。6.根据申请专利范围第5项的方法,其中该乾式剥除法是电浆氧灰化法。7.根据申请专利范围第5项的方法,其中在用该以水溶液为基础的清洗组成物与该底材接触前先进行该乾式剥除法步骤。8.根据申请专利范围第1项的方法,其进一步包括该底材属于有机湿式剥除法的步骤。9.根据申请专利范围第1项的方法,其中该清洗组成物包括:(A)水;(B)至少一种酸性羟铵化合物,其选自由下式之羟铵盐所组成的群:n(NR1R2R3OH)+(X-n)其中该R1.R2和R3是分别选自氢、具1到4个碳原子的低级烷基、具1到4个碳原子的低级烷氧基、羟基及具1到4个碳原子的经羟基取代的低级烷基,其条件是R1.R2和R3中至少有2个是氢、低级烷基或低级烷氧基;其中X是阴离子部份,其为可溶于水且和该胺或第四级氢氧化铵相容;和n是X的价数且为从1到3;和(C)至少一种选自胺和第四级氢氧化铵的硷性化合物。10.根据申请专利范围第9项的方法,其中该氢羟铵化合物是选自由硝酸羟铵、硫酸羟胺、磷酸羟胺、草酸羟胺、柠檬酸羟铵、氟化羟铵和氯化羟铵。11.根据申请专利范围第9项的方法,其中羟铵化合物的量以该清洗组成物之重量计是从约1%到约70%。12.根据申请专利范围第9项的方法,其中该胺是选自由氢氧化胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、和N-羟乙基六氢所组成的群。13.根据申请专利范围第9项的方法,其中该第四级氢氧化铵是选自由四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、三甲基羟乙基氢氧化铵、甲基三(羟乙基)甲基三铵、四(羟乙基)氢氧化铵,和基三甲基氢氧化铵所组成的群。14.根据申请专利范围第9项的方法,其中该硷性化合物在清洗组成物中的量是以该清洗组成物重量计从约0.01%到约10%。15.根据申请专利范围第9项的方法,其中该清洗组成物进一步包括钳合化合物,其系选自由三伸乙基四胺、2,2'-[[(甲基-1H-苯骈三唑-1-基)甲基]亚胺基]双乙醇、和(2-苯骈唑硫基)琥珀酸所组成的群。16.根据申请专利范围第9项的方法,其中该清洗组成物进一步包括界面活性剂,其系选自由非离子界面活性剂、阳离子界面活性剂和阴离子界面活性剂所组成的群。17.根据申请专利范围第9项的方法,其中该清洗组成物进一步包括腐蚀抑制剂。18.根据申请专利范围第9项的方法,其中该清洗组成物的pH値从约2到约4。 |
