| 主权项 |
1.一种Ta溅镀靶,其中(a)平均晶粒尺寸为0.1-300m, 而特定位置之平均晶粒尺寸的散布在20%中,(b)50ppm 或更低的氧浓度,以及(c)杂质浓度为Na≦0.1ppm,K≦0. 1ppm,U≦1ppb,Th≦1ppb,Fe≦5ppm,Cr≦5ppm以及Ni≦5ppm,且 耐高温金属元素(Hf、Nb、Mo、W、Ti以及Zr)的总含量 为50ppm或更低。2.申请专利范围第1项之Ta溅镀靶, 其中三个平面{110}、{200}和{211}之强度比例总和为 55%或更高,以及三个平面之特定位置强度比例总和 散布为20%或更低。3.申请专利范围第1或第2项之Ta 溅镀靶,其中氢浓度为20ppm或更低。4.申请专利范 围第1或第2项之Ta溅镀靶,其中被溅镀之表面部份 的平均粗糙镀(Ra)为0.01-5m。5.申请专利范围第3 项之Ta溅镀靶,其中被溅镀之表面部份的平均粗糙 镀(Ra)为0.01-5m。6.申请专利范围第1或第2项之Ta 溅镀靶,其中被溅镀之表面部份具有200nm或更低厚 度的氧化层。7.申请专利范围第3项之Ta溅镀靶,其 中被溅镀之表面部份具有200nm或更低厚度的氧化 层。8.申请专利范围第4项之Ta溅镀靶,其中被溅镀 之表面部份具有200nm或更低厚度的氧化层。9.申请 专利范围第5项之Ta溅镀靶,其中被溅镀之表面部份 具有200nm或更低厚度的氧化层。10.申请专利范围 第1或第2项之Ta溅镀靶,其中由溅镀靶材料之沈积 形成膜的靶未侵蚀表面部份,系被粗糙化。11.申请 专利范围第3项之Ta溅镀靶,其中由溅镀靶材料之沈 积形成膜的靶未侵蚀表面部份,系被粗糙化。12.申 请专利范围第4项之Ta溅镀靶,其中由溅镀靶材料之 沈积形成膜的靶未侵蚀表面部份,系被粗糙化。13. 申请专利范围第5项之Ta溅镀靶,其中由溅镀靶材料 之沈积形成膜的靶未侵蚀表面部份,系被粗糙化。 14.申请专利范围第6项之Ta溅镀靶,其中由溅镀靶材 料之沈积形成膜的靶未侵蚀表面部份,系被粗糙化 。15.一种制造申请专利范围第1项之Ta溅镀靶的方 法,包括有制作具有50ppm或更低的氧浓度、以及杂 质浓度为Na≦0.1ppm,K≦0.1ppm,U≦1ppb,Th≦1ppb,Fe≦5ppm, Cr≦5ppm,以及Ni≦5ppm,且耐高温金属元素(Hf、Nb、Mo 、W、Ti以及Zr)的总含量为50ppm或更低之Ta锭块,以 冷锻或/和冷轧加工该锭块,以及最后将工件切削 以获得靶,其中在冷锻和/或冷轧的加工期间,该工 件系在真空中以至少10℃/min的加热速率、在800- 1200℃的维持温度中做热处理,而使材料获得具有0. 1-300m的平均晶粒尺寸与其特定位置散布在20%内 。16.一种Ta溅镀靶组件,包括有申请专利范围第1项 至第14项中任何一种Ta溅镀靶,以及一接合至靶的 背板。17.根据申请专利范围第16项之组件,其中溅 镀材料所沈积并形成膜于其上的背板部份,其表面 系被粗糙化。18.根据申请专利范围第16项之组件, 其中Ta溅镀靶与背板系以金属键结做接合。19.根 据申请专利范围第17项之组件,其中Ta溅镀靶与背 板系以金属键结做接合。 |
