发明名称 制造一复合材料及选择一晶圆的方法
摘要 本发明系有关制造复合材料晶圆的方法,特别是绝缘体上矽型晶圆,其包含下列步骤:提供二晶圆并且使一晶圆连结,特别是黏合至另一者,而且其中为了减少晶圆边缘上面或附近引起的结晶缺陷量,进行测定边缘下降值的步骤,其中在离该晶圆边缘约0.5至2.5毫米处测定及/或使用高度外廓的二次导数测定该边缘下降值。本发明亦系有关选择晶圆的方法,并且有关此晶圆在复合材料晶圆的制造方法中之用途。
申请公布号 TW200737287 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW095141057 申请日期 2006.11.06
申请人 S?O?I?TEC 绝缘层上矽科技公司 发明人 鲁杜维克伊卡那特;威利米切尔;派克瑞劳德;瓦特史瓦季巴哈
分类号 H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈展俊;林圣富
主权项
地址 法国