Self-aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4f-square memory cell array,申请号SG19970004439-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Self-aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4f-square memory cell array
摘要
申请公布号	SG67457(A1)	申请公布日期	1999.09.21
申请号	SG19970004439	申请日期	1997.12.15
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION	发明人	BURNS, STUART, MCALLISTER, JR.;HANAFI HUSSEIN IBRAHIM
分类号	H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/824;G11C16/02;G11C11/40	主分类号	H01L21/8242
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