发明名称 Method of forming a unilateral graded-channel semiconductor device using a gate electrode disposable spacer
摘要
申请公布号 SG67359(A1) 申请公布日期 1999.09.21
申请号 SG19960010444 申请日期 1996.08.13
申请人 MOTOROLA, INC. 发明人 DOW, DIANN, M.;DAVIES, ROBERT, B.;WILD, ANDREAS, A.;ILDEREM VIDA
分类号 H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/823;H01L21/265 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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