半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明系一种半导体发光元件及其制造方法,其中,半导体发光元件(A)系含有n型半导体层(2)、p型半导体层(4)、以及挟持于此等半导体层(2,4)之活性层(3),更加地,半导体发光元件(A)系含有接触于n型半导体层(2)之n侧电极(5),和接触于p型半导体层(4)之p侧电极(6),而n型半导体层(2)及p型半导体层(4)系经由绝缘层(7)所被覆,另外,绝缘层(7)系部分地被覆n侧电极(5)及p侧电极(6),并使各电极(5,6)之一部分露出,而n侧电极(5)系由Al而成,且经由与n型半导体层(2)接触之第1层(51),与形成于其第1层(51)上,且由Ni、W、Zr及Pt之任一而成之第2层(52)所构成,而p侧电极(6)系由Au而成,且经由与p型半导体层(4)接触之第1层(61),与形成于其第1层(61)上,且由Ni、W、Zr及Pt之任一而成之第2层(62)所构成。