| 发明名称 |
Verfahren zur Ausbildung eines feinen Musters in einer Halbleitervorrichtung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE4429902(C2) |
申请公布日期 |
1999.09.16 |
| 申请号 |
DE19944429902 |
申请日期 |
1994.08.23 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
KIM, MYUNG SEON |
| 分类号 |
H01L21/302;G03F7/26;G03F7/36;G03F7/38;H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/312;(IPC1-7):H01L21/308;G03F7/00 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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