| 发明名称 |
Epitaxial growth method of semiconductors on highly lattice mismatched substrates using the buffer layer with solid-liquid phase transition |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB9916549(D0) |
申请公布日期 |
1999.09.15 |
| 申请号 |
GB19990016549 |
申请日期 |
1999.07.14 |
| 申请人 |
ARIMA OPTOELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
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| 分类号 |
C30B29/04;C30B29/38;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/208 |
主分类号 |
C30B29/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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