具有金属硅化物薄膜的半导体器件及制造方法

摘要

一种半导体器件及制造方法,它由在相同基片上生长执行高速运算的逻辑电路和具有高信息控制特性的DRAM存储单元部分实现。在逻辑电路部分生长具有高浓度杂质扩散层作为源和漏区的第一MOS晶体管,在DRAM的存储单元部分生长具有相对低浓度杂质扩散层作为源和漏区的第二MOS晶体管,在器件结构中,金属硅化物薄膜生长在第一晶体管的杂质扩散层上,没有金属硅化物薄膜生长在第二晶体管的杂质扩散层上。

主权项

1．一种半导体器件，其特征在于，它具有生长在硅基片第一元件生长区内的第一MOS晶体管和生长在所述硅基片第二元件生长区内的第二MOS晶体管，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管相比具有高的源区和漏区的杂质浓度，其中第一和第二金属硅化物薄膜被分别生长在所述第一MOS晶体管的所述源区和漏区，没有金属硅化物薄膜被生长在所述第二MOS晶体管的所述源区和漏区。