栅控晶闸管

摘要

本发明涉及一种新原理结构的栅控晶闸管，其特征在于在晶闸管结构的表面发射区内或表面发射区和宽基区内集成有耗尽型ＭＯＳ，该ＭＯＳ沟道区构成晶闸管的射结短路，控制器件的关闭。它克服了目前栅控晶闸管所能关闭的电流密度低、速度较慢、存在寄生结构器件和工作时需要二个相反极性栅电压控制的缺点。该结构器件关闭电流密度高、速度快，可靠性强，单一极性电压控制器件工作，广泛适应于电子领域内的功率转换。

主权项

1.一种栅控晶闸管，在晶闸管结构的表面发射区内含有构成耗尽型MOS的漏区和沟道区，而晶闸管的窄基区作为耗尽型MOS的源区，或在晶闸管的表面发射区和宽基区内含有构成耗尽型MOS的漏区和沟道区，晶闸管的窄基区作为它们共同的源区，其特征在于上述晶闸管表面发射区内或表面发射区和宽基区内集成了耗尽型MOS，该MOS的沟道区对晶闸管发射结形成了固有短路。