发明名称 |
METHOD OF FORMING CONTACT IN MUTILAYERED STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
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申请公布号 |
KR100220297(B1) |
申请公布日期 |
1999.09.15 |
申请号 |
KR19910021955 |
申请日期 |
1991.12.02 |
申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS IND. CO.,LTD |
发明人 |
KIM, JAE-GAB;SONN, KON |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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