发明名称 | 半导体陶瓷及由其制得的电子元件 | ||
摘要 | 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷,它呈现优良的PTC特性,可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物;以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物;所掺入的氧化硼的数量,按硼原子计算,满足以下关系:0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数,β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。 | ||
申请公布号 | CN1228397A | 申请公布日期 | 1999.09.15 |
申请号 | CN99103602.6 | 申请日期 | 1999.03.04 |
申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 新见秀明;川本光俊;中山晃庆;上野哲;浦原良一 |
分类号 | C04B35/468;H01B3/12;H01C7/02 | 主分类号 | C04B35/468 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 林蕴和 |
主权项 | 1.一种半导体陶瓷,包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物;以及可任选的至少一种选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的金属的氧化物;所掺入的氧化硼的数量,按硼原子计算,满足以下关系:0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数,β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。 | ||
地址 | 日本京都府长冈京市 |