用于对金属膜进行平坦化的高通量化学机械抛光组合物

摘要

化学机械抛光的方法，包括单个步骤I的CMP浆料制剂，用于对其上优选沉积铜的微电子器件结构进行平坦化。该方法包括使用具有氧化剂、钝化剂、磨料和溶剂的第一CMP浆料制剂进行的铜层体相去除，以及使用包括第一CMP浆料制剂和至少一种额外添加剂的制剂进行的微电子器件结构的软抛光和过抛光。本文所述的CMP方法提供了高的铜去除速率、相对低的阻挡材料去除速率、合适的材料选择性范围，从而在开始暴露阻挡材料时最大程度地减少铜凹陷，得到良好的平坦化效率。

主权项

1.在台板上对微电子器件基板进行抛光的方法，所述方法包括：(a)在第一化学机械抛光(CMP)条件下使基板与第一CMP组合物接触足够的时间，所述第一CMP组合物有效用于使基板平坦化并去除基板上的材料；和(b)于同一台板上在第二CMP条件下使基板与第二CMP组合物接触足够的时间，所述第二CMP组合物包含通过原位添加至少一种添加剂而改性的第一CMP组合物，所述至少一种添加剂选自有机溶剂、pH调节剂、流变剂、螯合剂、钝化剂、摩擦剂及其组合，其中所述第二CMP组合物有效用于去除过载材料并暴露出阻挡材料层，且其中第二CMP组合物具有的材料静态蚀刻速率低于第一CMP组合物。