| 发明名称 |
METHOD OF FORMING INTER-METAL INSULATOR OF MULTI-LAYERED SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100221607(B1) |
申请公布日期 |
1999.09.15 |
| 申请号 |
KR19910024091 |
申请日期 |
1991.12.24 |
| 申请人 |
HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO.,LTD. |
发明人 |
CHUN, PYU-MAN |
| 分类号 |
H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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