用以形成具有低闸极电阻之沟槽闸极电晶体之结构与方法

摘要

一场效电晶体系包括位于一第二传导类型的一半导体区上方之一第一传导类型的体部区以使体部区形成与半导体区之p-n接面。沟槽系延伸经过体部区且终止于半导体区内。第二传导类型的源极区系与沟槽相邻地延伸于体部区上方以使源极区形成与体部区之p-n接面。一闸极介电层系衬垫于各沟槽的侧壁。一金属衬垫系衬垫于各沟槽中之闸极介电层。一包含金属材料之闸极电极配置于各沟槽中。