发光二极体以及其制造方法

摘要

本发明揭露了一种发光二极体，发光二极体包括与活性层电性并联之电流泄漏路径以保护发光二极体免于静电的影响。发光二极体包括基板、在基板上的n型氮化物半导体层、在n型氮化物半导体层上的活性层、在活性层上的p型半导体层，以及藉由蚀刻而将n型半导体层暴露至p型半导体层之一部份而形成的n电极。