| 发明名称 | 光传感器和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光传感器和显示装置，本发明提供能够抑制由暗电流引起的噪声的产生并能够实现小型化的光传感器和具备它的显示装置。使用具备形成于同一硅膜(8)的多个光电二极管(9～11)的光传感器。光电二极管(9～11)各自具有形成于硅膜(8)的p型半导体区域(9a、10a、11a)和n型半导体区域(9c、10c、11c)。进一步，光电二极管(9～11)以各自的正向相互一致的方式串联配置。在相邻的两个光电二极管中，一方的n型半导体区域和另一方的p型半导体区域以在硅膜的厚度方向上相互重合的方式形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101657902A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200880011718.3 | 申请日期 | 2008.04.10 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 加藤浩巳;佐藤昌和;B·J·哈德文 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种光传感器，其特征在于：其具备形成于同一硅膜的多个光电二极管，所述多个光电二极管各自具有形成于所述硅膜的p型半导体区域和n型半导体区域，并且，以各自的正向相互一致的方式串联配置，在相邻的两个所述光电二极管中，一方的n型半导体区域和另一方的p型半导体区域以两个半导体区域的外缘一致，或者两个半导体区域相互在所述硅膜的厚度方向上重合的方式形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||