具电阻性元件的非挥发性记忆体与晶胞结构及其制作方法

摘要

非挥发性记忆体之晶胞结构，包括：一第一金属层；一第一介电层，形成于该第一金属层上方，其中，该第一介电层中具有一第一穿透洞，以暴露出该第一金属层；一第二介电层，形成于该第一穿透洞之内侧表面；一第一障壁层，覆盖于该第二介电层上；一第一过渡层，系由该第二介电层与该第一障壁层反应而成，且该第一过渡层接触于该第一金属层；一第二金属层，形成于该第一穿透洞内并接触于该第一过渡层；一第三介电层，形成于该第二金属层与该第一介电层上方，其中，该第三介电层中具有一第二穿透洞，以暴露出该第二金属层；一第四介电层，形成于该第二穿透洞之内侧表面；一第二障壁层，覆盖于该第四介电层上；一第二过渡层，系由该第四介电层与该第二障壁层反应而成，且该第二过渡层接触于该第二金属层；以及一第三金属层，形成于该第二穿透洞内并接触于该第二过渡层。

主权项

一种非挥发性记忆体之晶胞结构，包括：一第一金属层；一第一介电层，形成于该第一金属层上方，其中，该第一介电层中具有一第一穿透洞，以暴露出该第一金属层；一第二介电层，形成于该第一穿透洞之内侧表面；一第一障壁层，覆盖于该第二介电层上；一第一过渡层，系由该第二介电层与该第一障壁层反应而成，且该第一过渡层接触于该第一金属层；一第二金属层，形成于该第一穿透洞内并接触于该第一过渡层；一第三介电层，形成于该第二金属层与该第一介电层上方，其中，该第三介电层中具有一第二穿透洞，以暴露出该第二金属层；一第四介电层，形成于第二穿透洞之内侧表面；一第二障壁层，覆盖于该第四介电层上；一第二过渡层，系由该第四介电层与该第二障壁层反应而成，且该第二过渡层接触于该第二金属层；以及一第三金属层，形成于该第二穿透洞内并接触于该第二过渡层。