具有接触插栓的半导体结构与其形成方法

摘要

明提供了一种具有接触插栓的半导体结构，包含一基底、一电晶体、一第一内层介电层、一第二内层介电层以及一第一接触插栓。电晶体设置在基底上，且电晶体包含一闸极以及一源极/汲极区。第一内层介电层设置在电晶体上，且与电晶体的闸极的一顶面齐平。第二内层介电层设置在第一内层介电层上。第一接触插栓设置在第一内层介电层以及第二内层介电层中，第一接触插栓包含一第一沟渠部分以及一第一介质孔部分，其中第一沟渠部分以及第一介质孔部分的一交界高于闸极的该顶面。本发明还提供一种形成具有接触插栓的半导体结构的方法。

主权项

一种具有接触插栓的半导体结构，包含：一电晶体设置在一基底上，其中该电晶体包含一闸极以及一源极/汲极区；一第一内层介电层设置在该电晶体上，且与该电晶体的该闸极的一顶面齐平；一第二内层介电层设置在该第一内层介电层上；以及一第一接触插栓设置在该第一内层介电层以及该第二内层介电层中，该第一接触插栓包含一第一沟渠部分以及一第一介质孔部分，其中该第一沟渠部分以及该第一介质孔部分的一交界高于该闸极的该顶面，且该第一沟渠部分以及该第一介质孔部分的该交界位于该第二内层介电层中。