藉由减少掺杂剂于闸极下的扩散来形成记忆体胞元之方法

摘要

成记忆体胞元之方法，包括形成一传导浮动闸极于基体上方；形成一传导控制闸极于该浮动闸极上方；形成一传导抹除闸极于该浮动闸极之一侧边的旁边；及形成一传导选择闸极于该浮动闸极一侧边的相反侧边旁边。形成该浮动及选择闸极后，本方法包括使用以相对于该基体一表面小于90度且大于0度之角度植入一掺杂剂的一植入制程，将该掺杂剂植入一通道区域位于该选择闸极下方的一部分。

主权项

一种形成记忆体胞元的方法，包含：提供一第一传导性类型之半导体材料的一基体；在该基体中形成属于一第二传导性类型之第一及第二隔开区域，有一通道区域位于其间；形成在该基体上方且与其绝缘之一传导浮动闸极；形成在该浮动闸极上方且与其绝缘之一传导控制闸极；形成在该浮动闸极之一侧边旁边且与其绝缘之一传导抹除闸极；形成在该浮动闸极之该一侧边的相反侧边旁边且与其绝缘之一传导选择闸极；及在形成该浮动闸极与该选择闸极后，使用以相对于该基体之一表面小于90度且大于0度之一角度注入一掺杂剂的一植入制程，将该掺杂剂植入该通道区域位于该选择闸极下方的一部分。