| 发明名称 |
半导体装置 |
| 摘要 |
明的一个目的系在提供一种充分降低待机功率之新的半导体装置。半导体装置包括一第一电源供应端、一第二电源供应端、一利用一氧化物半导体材料之开关电晶体及一积体电路。第一电源供应端系电性连接开关电晶体之一源极端及一汲极端之其中一个。开关电晶体之源极端及汲极端之其中另一个系电性连接积体电路之一个端。积体电路之另一个端系电性连接第二电源供应端。
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| 申请公布号 |
TWI534954 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
| 申请号 |
TW102143759 |
申请日期 |
2010.12.01 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平 |
| 分类号 |
H01L21/8234(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L27/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：一第一电源供应端；一第二电源供应端；一第一电晶体，包含：一第一闸极电极；一半导体层，包含一氧化物半导体材料；以及一第一闸极绝缘层，位在该第一闸极电极及该半导体层之间；一反相器电路，包括一第一端及一第二端，其中该反相器电路包含一第二电晶体，其中该第二电晶体的通道形成区包含一除了该氧化物半导体材料之外的半导体材料，其中该第一电源供应端系电性连接该第一电晶体之一源极端及一汲极端之其中一个，其中该第一电晶体之该源极端及该汲极端之其中另一个系电性连接该反相器电路之该第一端，以及其中该反相器电路之该第二端系电性连接该第二电源供应端。
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| 地址 |
日本 |
