发明名称 |
基准电压电路 |
摘要 |
温度特性佳之基准电压电路。
使根据流通于闸极和源极被连接之第一空乏型电晶体之电流的电流,流动于相同临界值之第三空乏型电晶体,并使闸极和源极间产生电压,并使根据流通于闸极和源极被连接之第二空乏型电晶体之电流的电流,流通于相同临界值之第四空乏型电晶体,而在闸极和汲极间产生电压。藉由以该两个电压之差电压为基准而产生基准电压,取得电压对温度变化变动较少的基准电压。
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申请公布号 |
TWI534585 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
申请号 |
TW101108638 |
申请日期 |
2012.03.14 |
申请人 |
精工半导体有限公司 |
发明人 |
宇都宫文靖 |
分类号 |
G05F3/24(2006.01);H03F1/30(2006.01) |
主分类号 |
G05F3/24(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种基准电压电路,具有:第一定电压电路,其具有第一空乏型电晶体;和第二定电压电路,其具有与上述第一空乏型电晶体临界值不同的第二空乏型电晶体,上述第一定电压电路系由下述构件所构成:上述第一空乏型电晶体,其系闸极和源极被连接,汲极被连接于第一电源端子;第一MOS电晶体,其系闸极和汲极被连接于上述第一空乏型电晶体之闸极和源极,源极被连接于第二电源端子;第二MOS电晶体,其系闸极被连接于上述第一MOS电晶体之闸极,源极被连接于第二电源端子;及第三空乏型电晶体,其系闸极被连接于第二电源端子,汲极被连接于第一电源端子,源极被连接于上述第二MOS电晶体之汲极,流通根据流动于上述第一空乏型电晶体之电流的电流,且其临界值与上述第一空乏型电晶体相同,将输出电压从上述第二NMOS电晶体之汲极予以输出,上述第二定电压电路系由下述构件所构成:上述第二空乏型电晶体,其系闸极和源极被连接,汲极被连接于上述第一电源端子;第三MOS电晶体,其系闸极和汲极被连接于上述第二空乏型电晶体之闸极和源极,源极被连接于第二电源端
子;第四MOS电晶体,其系闸极被连接于上述第三MOS电晶体之闸极,源极被连接于第二电源端子;及第四空乏型电晶体,其系闸极被连接于第二电源端子,汲极被连接于第一电源端子,源极被连接于上述第四MOS电晶体之汲极,流通根据流动于上述第二空乏型电晶体之电流的电流,且其临界值与上述第二空乏型电晶体相同,将输出电压从上述第四NMOS电晶体之汲极予以输出,使产生根据上述第一定电压电路之输出电压和上述第二定电压电路之输出电压之差的基准电压。
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地址 |
日本 |