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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit Bipolartransistoren
摘要
申请公布号 DE68928951(T2) 申请公布日期 1999.09.09
申请号 DE1989628951T 申请日期 1989.05.08
申请人 SONY CORP. 发明人 HOZUMI, HIROKI C/O PATENT DIVISION;NAKAMURA, MINORU C/O PATENT DIVISION;MIWA, HIROYUKI C/O PATENT DIVISION;KAYANUMA, AKIO C/O PATENT DIVISION
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L21/763;H01L23/485;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/732;H01L21/60;H01L21/822 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
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