Verfahren zur Herstellung von komplementären, bipolaren Transistoren,申请号DE1992628648T-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Herstellung von komplementären, bipolaren Transistoren
摘要
申请公布号	DE69228648(T2)	申请公布日期	1999.09.09
申请号	DE1992628648T	申请日期	1992.06.19
申请人	TRW INC.	发明人	STREIT, DWIGHT CHRISTOPHER;OKI, AARON KENJI;UMEMOTO, DONALD K.;VELEBIR, JAMES RUSSELL
分类号	H01L29/205;H01L21/331;H01L21/8228;H01L21/8252;H01L27/06;H01L27/082;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/82	主分类号	H01L29/205
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