| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件，其具有：衬底；衬底上的半导体区；直接与所说半导体区接触的接触层的硅化物层：其中硅化物层制成富硅，同时含有使接触电阻极大减小的硅量。还公开了一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上选择地形成给定导电类型的半导体区；在半导体区的整个表面上形成Co－Si合金层；在Co－Si合金层的整个表面或部分中掺入Si；在部分Co－Si合金层中形成含Ti层；及对衬底进行热处理，形成含有使接触电阻极大减小的硅量的富硅硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1227967A | 申请公布日期 | 1999.09.08 |
| 申请号 | CN99100526.0 | 申请日期 | 1999.02.04 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 小田典明 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/265;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，包括：衬底；形成于所说衬底上的半导体区；及形成为直接与所说半导体区接触的接触层的硅化物层；其中所说硅化物层制成富硅，同时含有使接触电阻极大减小的硅量。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||