| 发明名称 | 具有浅结的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有含有杂质扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：在等于或低于3keV的加速电压下，通过厚度等于或小于2.5nm的氧化硅膜向硅衬底中掺杂杂质，氧化硅膜形成在硅衬底上，并对留有氧化膜的硅衬底退火。 | ||
| 申请公布号 | CN1227965A | 申请公布日期 | 1999.09.08 |
| 申请号 | CN99102721.3 | 申请日期 | 1999.03.04 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 安永友子 |
| 分类号 | H01L21/265;H01L21/425 | 主分类号 | H01L21/265 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
| 主权项 | 1.具有含有杂质扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在等于或低于3keV的加速电压下，通过厚度等于或小于2.5nm的氧化硅膜向硅衬底中掺杂杂质，氧化硅膜形成在硅衬底上；和对留有氧化膜的硅衬底退火。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||