| 发明名称 |
METHOD OF FORMING METALLIZED LAYER OF SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR BASE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11241965(A) |
申请公布日期 |
1999.09.07 |
| 申请号 |
JP19980045322 |
申请日期 |
1998.02.26 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD |
发明人 |
SAITO HIROSHI |
| 分类号 |
G01L7/08;C23C14/04;G01L9/00;G01L9/04;H01L29/84;(IPC1-7):G01L9/04 |
主分类号 |
G01L7/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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