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특정 디바이스는 저항-기반 메모리 디바이스, 태그 랜덤-액세스 메모리(RAM), 비트 복구(BR) 메모리를 포함한다. 저항-기반 메모리 디바이스는 데이터 값 및 데이터 값과 연관된 에러-정정 코드(ECC) 데이터를 저장하도록 구성된다. 태그 RAM은 메인 메모리의 메모리 어드레스들을 캐시 메모리의 워드라인들에 맵핑하는 정보를 저장하도록 구성되고, 여기서 캐시 메모리는 저항-기반 메모리 디바이스를 포함한다. BR 메모리는 데이터 값과 연관된 추가의 에러 정정 데이터를 저장하도록 구성되고, 여기서 BR 메모리는 휘발성 메모리 디바이스에 대응한다. |
