| 发明名称 |
EEPROM mit den Ladungsverlusten der Speicherzellen folgenden Referenzzellen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69033023(T2) |
申请公布日期 |
1999.09.02 |
| 申请号 |
DE19906033023T |
申请日期 |
1990.04.12 |
| 申请人 |
SANDISK CORP. |
发明人 |
MEHROTRA, SANJAY;HARARI, ELIYAHOU |
| 分类号 |
G11C16/02;G01R31/28;G11C7/00;G11C11/00;G11C11/56;G11C16/00;G11C16/04;G11C16/06;G11C16/10;G11C16/16;G11C16/28;G11C16/34;(IPC1-7):G11C16/06 |
主分类号 |
G11C16/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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