| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含具有源极、汲极及控制源极汲极间导通状态之闸极电极之半导体元件,其特征为:前述半导体元件之闸极电极的底面及侧面系被闸极绝缘膜覆盖者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述闸极电极之底面及侧面所形成的前述闸极绝缘膜之膜厚为大致相等者。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述闸极绝缘膜系由Ta2O5膜之单层膜或至少具有Ta2O5膜之积层膜所形成者。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述闸极绝缘膜系由包含Ba、Sr及Ti膜之单层膜或至少具有包含Ba、Sr及Ti膜之积层膜所形成者。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中包含前述Ba、Sr及Ti的膜系为磊晶膜者。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述闸极绝缘膜系由矽氧化膜之单层膜或至少具有矽氧化膜之积层膜所形成者。7.如申请专利范围第3至6项中任一项之半导体装置,其中前述积层膜系至少具有只在与作为基底之矽的界面上形成之膜者。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述闸极电极系为金属闸极电极者。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其包含前述闸极绝缘膜之膜厚不同的复数个前述半导体元件。10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其包含前述闸极绝缘膜之构成材料不同的复数个前述半导体元件。11.如申请专利范围第1项之半导体装置,其包含在前述闸极绝缘膜上使用至少包含强介电体膜的膜之前述半导体元件和在前述闸极绝缘膜上使用至少包含高介电体膜的膜之前述半导体元件。12.如申请专利范围第1项之半导体装置,其包含在前述闸极绝缘膜上使用至少包含强介电体膜的膜之前述半导体元件和在前述闸极绝缘膜上使用至少包含矽氧化膜的膜之前述半导体元件。13.如申请专利范围第1项之半导体装置,其包含前述闸极之构成材料互异之复数个前述半导体元件。14.一种半导体装置之制造方法,其特征为:具有在半导体基板上的闸极形成预定区域上形成虚设闸极图型(dummygate pattern)的步骤:将该虚设闸极图型当作罩幕在前述半导体基板上导入杂质以形成源极/汲极区域的步骤:在前述虚设闸极图型周围形成绝缘膜的步骤:选择性除去前述虚设闸极图型的步骤:在前述虚设闸极图型已除去之凹部底面及侧面上形成闸极绝缘膜的步骤:以及在前述闸极绝缘膜所形成的前述凹部上埋置导电材料以形成闸极电极的步骤。15.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其系藉由个别进行除去虚设闸极图型的步骤和形成闸极绝缘膜的步骤,以形成前述闸极绝缘膜之构成材料各不相同的复数个半导体元件者。16.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其系在依热处理而将导入于前述源极/汲极区域内之杂质予以活性化之后进行形成前述闸极电极的步骤者。17.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其系在前述源极/汲极区域上形成矽化物层之后进行形成前述闸极绝缘膜及前述闸极电极的步骤者。18.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其系在前述源极/汲极区域上形成磊晶矽层之后进行形成前述闸极绝缘膜及前述闸极电极的步骤者。19.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其系由矽氧化膜之单层膜或至少具有矽氧化膜的积层膜而形成前述闸极绝缘膜,之后再进行用以改善该闸极绝缘膜之绝缘特性及与作为基底的矽之界面特性之热处理者。图式简单说明:第一图显示有关本发明第一实施形态之半导体装置构成之一例的图。第二图显示有关本发明第一实施形态之半导体装置之制造方法之一例的图。第三图系就有关本发明第二实施形态之半导体装置之制造方法的一例而显示其步骤局部的图。第四图系就有关本发明第二实施形态之半导体装置之制造方法的其他例而显示其步骤局部的图。第五图系就有关本发明第三实施形态之半导体装置之制造方法的一例而显示其步骤局部的图。第六图系就有关本发明第四实施形态之半导体装置之制造方法的一例而显示其步骤局部的图。第七图系就有关本发明第五实施形态之半导体装置之制造方法的一例而显示其步骤局部的图。第八图显示有关本发明第六实施形态之半导体装置构成之一例的图。第九图系就有关本发明第六实施形态之半导体装置之制造方法的一例而显示其步骤局部的图。第十图系就有关本发明第六实施形态之半导体装置之制造方法的一例而显示其步骤局部的图。第十一图系就有关本发明第七实施形态之半导体装置之制造方法的一例而显示其步骤局部的图。第十二图显示有关习知技术之半导体装置的图。第十三图系依平面图而显示第二图所示之有关本发明第一实施形态之半导体装置之制造方法一例的图。 |
