| 主权项 |
1.一种RF电浆反应器,用作在该反应器的一室内处理在一电浆区中的一工作件,该反应器包括:一RF电能应用器,面对该电浆区;一RF电能发生器,有一基本频率;一阻抗匹配网,它连接在该RF电能发生器和该RF电能应用器之间;和一谐波阻抗元件,它连接在该阻抗匹配网和该RF电能应用器之间,其中:(a)该谐波阻抗元件在该基本频率有一阻抗,使该阻抗匹配网结合该谐波阻抗元件以该室的负载阻抗在该基本频率提供至少一近似的阻抗匹配,(b)该谐波阻抗元件在该基本频率的谐波频率之阻抗高于该阻抗匹配网在该谐波频率的阻抗,藉以将在电浆鞘接近该电极所产生的谐波频率与该阻抗匹配网隔离。2.依据申请专利范围第1项之反应器,其中该RF电能应用器包括在该室内的一工作件支持物,因此该RF电能应用器是电容耦合的,而该电浆鞘位于该工作件上方。3.依据申请专利范围第2项之反应器,进一步包括接收RF电浆源能量的一感应电能应用器,其中该RF电能发生器供应电浆偏电能至该电容耦合的RF电能应用器上。4.依据申请专利范围第1项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在近谐波频率处有至少一个峰量。5.依据申请专利范围第1项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在谐波频率范围有一峰量。6.依据申请专利范围第5项之反应器,其中该谐波频率范围包括该基本频率的第二和第三谐波。7.依据申请专利范围第1项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该基本频率的对应谐波频率处有对应的峰量。8.依据申请专利范围第4项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该谐波频率处主要是电抗的,在近该谐波频率的相角至少为近90。9.依据申请专利范围第8项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该谐波频率处主要是感应的,其相角近+90。10.依据申请专利范围第5项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该第二和第三谐波处主要是电抗的,在近该谐波频率处之相角至少接近90。11.依据申请专利范围第10项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该第二和第三谐波处主要是感应的,其相角接近90。12.依据申请专利范围第7项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该对应的谐波频率处主要是电抗的,在近该谐波频率的相角至少为近90。13.依据申请专利范围第12项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该对应的谐波频率处主要是感应的,其相角近+90。14.依据申请专利范围第3项之反应器,其中该基本频率是在一低频率范围中,其中在该电浆中的离子基本上能跟随在电浆鞘中近该工作件的RF场之周期,而该感应耦合的源电能在该室中提供一高离子密度电浆。15.依据申请专利范围第14项之反应器,其中该低频率范围包含的频率之量级约为2MHz。16.依据申请专利范围第1项之反应器,其中该阻抗匹配网包括有固定値之电抗组分,而该RF发生器包括一频率伺服圈,它维持一阻抗匹配。17.依据申请专利范围第1项之反应器,其中该阻抗匹配网包括电抗组分,其中至少一个是可变的,而该RF发生器包括一伺服圈,它改变该可变的电抗组分来保持阻抗匹配。18.依据申请专利范围第1项之反应器,进一步包括连接在该谐波阻抗元件和该RF电能应用器之间的一输出电容器。19.依据申请专利范围第18项之反应器,其中该工作件支持物包括一静电夹盘,该反应器进一步包括对该静电夹盘的一D.C.控制电压源,连接在该RF能电发生器和该阻抗匹配网之间,该反应器进一步包括抗流感应器,与该输出电容器并联,该抗流感应器包括从该D.C.控制电压源至该静电夹盘的D.C.电流之通路。20.依据申请专利范围第19项之反应器,进一步包括一阻隔电容器,连接在该RF电能发生器和该D.C.控制电压源之间。21.依据申请专利范围第1项之反应器,其中该谐波阻抗元件包括一电容器和一感应器彼此并联连接,而与该阻抗匹配网串联连接。22.依据申请专利范围第21项之反应器,其中该阻抗匹配网是一pi-网,包括一对并联电容器和一串联感应器,连接在其间。23.一种RF电浆反应器,用作在该反应器的一室内处理在一电浆区中的一工作件,该反应器包括:一RF电能应用器,面对该电浆区;一RF电能发生器,有一基本频率;一阻抗匹配网,它连接在该RF电能发生器和该RF电能应用器之间;和一谐波阻抗元件,它连接在该阻抗匹配网和该RF电能应用器之间,其中:(a)该谐波阻抗元件在该基本频率有一阻抗,使该阻抗匹配网结合该谐波阻抗元件以该室的负载阻抗在该基本频率提供至少一近似的阻抗匹配,(b)该谐波阻抗元件在该基本频率的谐波频率有一阻抗,它至少与在该谐波频率的该负载阻抗一样大,因此可阻碍在该谐波频率的电流流动。24.依据申请专利范围第23项之反应器,其中该阻抗匹配元件的阻抗在该频率是小于在该谐波频率之该负载阻抗。25.依据申请专利范围第24项之反应器,其中该阻抗匹配元件之该阻抗被最佳化至约为横越该负载阻抗的有限范围中该负载阻抗之该共轭阻抗。26.依据申请专利范围第25项之反应器,其中RF发生器包括一频率调谐阻抗匹配伺服器和该匹配元件之该阻抗在横越该频率调谐阻抗匹配伺服器的调谐频率范围中被最佳化。27.依据申请专利范围第23项之反应器,其中该RF电能应用器包括在该室内的一工作件支持物,因此该RF电能应用器是电容耦合的,而该电浆鞘在该工作件之上方。28.依据申请专利范围第26项之反应器,进一步包括接收RF电浆源电能的一感应电能应用器,其中该RF电能发生器供应电浆偏电能至该电容耦合的RF电能应用器。29.依据申请专利范围第23项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该谐波频率处主要是电抗的,在接近该谐波频率处的相角至少接近90。30.依据申请专利范围第29项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该谐波频率处主要是感应的,其相角近90。31.依据申请专利范围第23项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该基本频率的对应谐波频率处至少与在该对应谐波频率的该负载阻抗一样大。32.依据申请专利范围第31项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该对应谐波频率处主要是电抗的,在近该谐波频率的相角至少为近90。33.依据申请专利范围第32项之反应器,其中该谐波阻抗元件的该阻抗在接近该对应谐波频率处主要是感应的,其相角近+90。34.依据申请专利范围第28项之反应器,其中该基本频率是在一低频率范围中,其中在该电浆中的离子基本上能跟随在电浆鞘中近该工作件的RF场之周期,而该感应耦合的源电能在该室中提供一高离子密度电浆。35.依据申请专利范围第34项之反应器,其中该低频率范围包含的频率之量级约为2MHz。36.依据申请专利范围第23项之反应器,其中该阻抗匹配网包括有固定値之电抗组分,而该RF发生器包括一频率伺服圈,它维持一阻抗匹配。37.依据申请专利范围第23项之反应器,其中该阻抗匹配网包括电抗组分,其中至少一个是可变的,而该RF发生器包括一伺服圈,它改变该可变的电抗组分来保持阻抗匹配。38.一种调谐方法,其系用在一包括一用以封进电浆之反应器室之RF电浆反应器中,该反应器室系包括一处理气体入口;一工作件支持物;一RF讯号应用器,它面对该室内部的一部分;和一RF讯号发生器,它藉一阻抗匹配网与该反应器的一电能应用器耦合,它并有一可控制的RF频率和耦合于该RF讯号应用器输入之一RF讯号输出,该方法系包括:将阻抗匹配网与由该可控制的RF频率在或近该电浆处产生的谐波隔离;测量,(a)该发生器的输出,和(b)在该讯号发生器,接近其中一个或在二者之间的一参数,它是在该反应器中辖制电浆离子密度的;调整该RF讯号发生器的该频率,至某一定频率范围以内,至少使该参数在该频率范围之内最佳化,接近一极大或极小値之一。39.依据申请专利范围第38项之方法,进一步包括在该阻抗匹配网中提供固定的电抗组分。40.依据申请专利范围第38项之方法,其中该参数包括流至该RF讯号应用器的RF电流量之傅立叶组分。41.依据申请专利范围第40项之方法,其中该傅立叶组分包括:(a)一第一谐波,(b)一第二谐波中之一。42.依据申请专利范围第38项之方法,其中该参数包括在该RF讯号应用器中RF电流流动改变之时间速率量。43.依据申请专利范围第42项之方法,其中该参数包括该RF频率乘以该RF电流之积。44.依据申请专利范围第38项之方法,其中该RF讯号应用器包括邻近该反应器室的一感应线圈天线,和该RF讯号发生器供应RF电浆源讯号。45.依据申请专利范围第38项之方法,其中该RF讯号应用器包括邻近该反应器室的一电容电极,和该RF讯号发生器供应RF电浆源讯号。46.依据申请专利范围第38项之方法,其中该RF讯号发生器有一可调节的RF讯号输出程度,该方法进一步包括:改变该RF讯号输出程度,来设定并保持该参数至少接近一预设点。47.依据申请专利范围第38项之方法,其中该反应器进一步包括一偏RF讯号发生器,它有一可控制的RF偏频率和该工作件支持物耦合的一偏讯号输出,该方法进一步包括:测量近该工作件支持物的与该工作件电压有关的一偏讯号参数;调整该偏RF讯号发生器的该频率至一第二频率范围以内,使该偏讯号参数至少近于最佳化至一极大或极小値之一。48.依据申请专利范围第47项之方法,进一步包括在该偏RF讯号发生器和该晶圆支持物之间提供一固定的调谐电路。49.依据申请专利范围第47项之方法,其中该偏讯号参数包括该工作件的电压之傅立叶组分。50.依据申请专利范围第49项之方法,其中该傅立叶组分包括:(a)一第一谐波,(b)一第二谐波,(c)一D.C.组分中之一。51.依据申请专利范围第47项之方法,其中该偏RF讯号发生器有一可调节的偏RF讯号输出程度,该方法进一步包括:改变该偏RF讯号输出程度,来设定并维持该偏讯号参数至少接近一预设点。52.依据申请专利范围第38项之方法,进一步包括在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间提供一变压器。53.依据申请专利范围第52项之方法,其中该变压器有一变压器比例,对应于在该RF讯号应用器该输入的该负载阻抗和该RF讯号发生器的该输出阻抗之间大小的一预估比例。54.依据申请专利范围第38项之方法,进一步包括:提供变压器设备在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间有多种可选择的变压器比例;和选择该比例之一,使最佳对应于在该RF讯号应用器该输入的该负载阻抗和该RF讯号发生器的该输出阻抗之间大小的一预估比例。55.依据申请专利范围第47项之方法,进一步包括在该偏RF讯号发生器和该晶圆支持物之间提供一变压器。56.依据申请专利范围第55项之方法,其中该偏变压器有一偏变压器比例,对应于在该晶圆支持物的该偏负载阻抗和该偏RF讯号发生器的该输出阻抗之间大小的一预估比例。57.依据申请专利范围第47项之方法,进一步包括:提供偏变压器设备在该偏RF讯号发生器和该晶圆支持物之间有多种可选择的偏变压器比例;和选择该偏比例之一,使最佳对应于在该晶圆支持物该偏负载阻抗和该偏RF讯号发生器之该输出阻抗之间大小之预估比例。58.一种调谐方法,其系用在一包括有一具有处理气体入口之反应器室之RF电浆反应器中,该反应器室系用以含容一待处理的工作件;一RF讯号应用器,它面对该室内部的一部分;和一RF讯号发生器,它有一可控制的RF频率,和一RF讯号输出,藉一阻抗匹配网与该RF讯号应用器之一输入耦合,该方法系包括:将该阻抗匹配网与在该室中可能的该可控制RF频率中至少一个或多个谐波隔离;感受与该工作件电压有关的一参数;调整该RF讯号发生器的该频率至某一定频率范围以内,至少使该参数在该频率范围之内最佳化,接近一极大或极小値之一。59.依据申请专利范围第58项之方法,其中该RF讯号应用器是一电容电极。60.依据申请专利范围第58项之方法,其中该反应器进一步包括在该室内的一工作件支持物和该RF讯号发生器与该工作件支持物耦合,因此该RF讯号应用器包括该工作件支体物。61.依据申请专利范围第58项之方法,其中该阻抗匹配网包括在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间的一固定调谐电路。62.依据申请专利范围第58项之方法,其中该参数包括该RF讯号应用器的RF电压之傅立叶组分。63.依据申请专利范围第62项之方法,其中该傅立叶组分包括:(a)一第一谐波,(b)一第二谐波,(c)一D.C.组分中之一。64.依据申请专利范围第58项之方法,其中该偏RF讯号发生器有一可调节的偏RF讯号输出程度,该方法进一步包括:改变设RF讯号输出程度,来设定并维持该参数的大小至少接近一预设点。65.依据申请专利范围第58项之方法,进一步包括在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间提供一变压器。66.依据申请专利范围第65项之方法,其中该变压器有一变压器比例,对应于在该RF讯号应用器该输入的该负载阻抗和该RF讯号发生器的该输出阻抗之间大小的一预估比例。67.依据申请专利范围第58项之方法,进一步包括:提供变压器设备在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间有多种可选择的变压器比例;和选择该比例之中,它是最佳对应于在该RF讯号应用器该输出之该负载阻抗和该RF讯号发生器之该输出阻抗之间大小的预估比例。68.一种RF电浆反应器,包括:一反应器室,有一处理气体入口和适合于接受一欲处理的工作件;一RF讯号应用器,面向该室内部的一部分;一RF讯号发生器,与该RF讯号应用器耦合,并有一RF频率控制输入;一感受器,耦合至该RF讯号应用器并能回应与该RF讯号应用器的一RF电压有关的一参数;一频率伺服器,回应该感受器,并以程式调节该RF讯号发生器的该频率至一频率范围内,使该参数在该频率范围内最佳化至一极大或极小之一。在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间的一固定调谐电路;和在该调谐电路和该讯号应用器之间的一谐波阻抗元件,其阻抗高于该调谐电路在接近该频率的至少一个或多个谐波之阻抗。69.依据申请专利范围第68项之反应器,其中该RF讯号应用器是一电容电极。70.依据申请专利范围第69项之反应器,其中该反应器进一步包括在该室内的一工作件支持物和该RF讯号发生器与该工作件支持物耦合,因此该RF讯号应用器包括该工作件支体物。71.依据申请专利范围第68项之反应器,其中该参数包括该RF讯号应用器的RF电压之傅立叶组分。72.依据申请专利范围第71项之反应器,其中该傅立叶组分包括:(a)一第一谐波,(b)一第二谐波,(c)一D.C.组分中之一。73.依据申请专利范围第68项之反应器,其中该偏RF讯号发生器有一RF讯号程度控制输入,该反应器进一步包括:一讯号伺服器连接至该讯号控制输入,并以程式改变该RF讯号输出程度控制输入为了设定并保持该参数至少接受一预设点。74.依据申请专利范围第68项之反应器,进一步包括在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间提供一变压器。75.依据申请专利范围第74项之反应器,其中该变压器有一变压器比例,对应于在该RF讯号应用器该输入的该负载阻抗和该RF讯号发生器的该输出阻抗之间大小的一预估比例。76.依据申请专利范围第68项之反应器,进一步包括:变压器设备在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间有多种可选择的变压器比例;和该比例中至少一个是最佳对应于在该RF讯号应用器该输入的该负载阻抗和该RF讯号发生器的该输出阻抗之间大小的一预估比例。77.一种用以调谐RF讯号发生器至RF讯号应用器之方法,其系用在一包括一反应器室之RF电浆反应器中,该反应器室系具有一处理气体入口;一工作件支持物;一RF讯号应用器,它面对该室内部的一部分;和一RF讯号发生器,它有一可控制的RF频率和耦合于该RF讯号应用器,该方法系包括:提供一固定的阻抗匹配电路,它在该应用器和该发生器之间;提供一谐波阻抗元件,它在该匹配电路和该应用器之间,其阻抗在接近该频率的一个或多个谐波处较高于该固定的阻抗匹配电路在相同的一个或多个谐波处的阻抗;测量,(a)该讯号发生器,和(b)在该讯号应用器,接近其中一个或在二者之间的一第一RF发生器参数;调整该RF讯号发生器的该频率至某一定频率范围以内,至少使该RF发生器参数在该频率范围之内最佳化,接近一极大或极小値之一。78.依据申请专利范围第77项之方法,进一步包括:测量,(a)该讯号发生器,和(b)在该讯号应用器,接近其中一个或在二者之间的第二和第三RF发生器参数;调整该RF讯号发生器的该频率至某一定频率范围以内,至少使该RF发生器参数在该频率范围之内最佳化,接近一极大或极小値之一。79.依据申请专利范围第78项之方法,其中该第一、第二和第三RF发生器参数是相同的RF发生器参数。80.依据申请专利范围第78项之方法,其中该第一、第二和第三RF发生器参数中至少一个与其它二个不同。81.依据申请专利范围第78项之方法,其中该第一、第二和第三RF发生器参数中各个皆与其它各个不同。82.依据申请专利范围第78项之方法,其中该第一、第二和第三RF发生器参数中各自从下列RF发生器参数中选出:输送电压、输送电流、输送电能、反射电能、电流改变的时间速率、电压之一傅立叶组分、电压和电流之间的一相角、任何二个RF发生器参数之间的一相角。83.依据申请专利范围第77项之方法,其中该讯号应用器包含一RF电浆源电讯号应用器。84.依据申请专利范围第77项之方法,其中该讯号应用器包括一RF偏讯号应用器。85.一种RF电浆反应器,包括:一反应器室,有一处理气体入口和适合于接受一欲处理的工作件;一RF讯号应用器,面向该室内部的一部分;一RF讯号发生器,有一RF频率控制输入,并产生一RF讯号;在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间的一固定调谐电路;一感受器,与(a)该RF讯号应用器和(b)该RF讯号发生器中至少一个或在其间耦合,并回应(a)该RF讯号应用器和(b)该RF讯号发生器在接近其中一个或在其间可测量的一RF参数;一RF讯号量伺服器,回应该感受器并以程式调整该RF讯号发生器的该RF讯号量为使该参数最佳化至一预定値;和一谐波阻抗元件,其阻抗在接近该发生器的基本频率的至少一个或多个谐波处较高于该固定调谐电路在该一个或多个谐波处之阻抗。86.依据申请专利范围第85项之反应器,其中该参数之预定値是一个极大或一个极小値。87.依据申请专利范围第85项之反应器,其中该RF讯器量伺服器调节下列发生器参数之一的量:输送电压、输送电流、输送电能、反射电能、电流改变之时间速率、电流和电压之乘积、电压之一傅立叶组分、电压和电流之间的相角、任何二个RF发生器参数之间的一相角。88.依据申请专利范围第85项之反应器,其中该参数包括下列讯号参数之一:输送电压、输送电流、输送电能、反射电能、电流改变之时间速率、电流和电压之乘积、电压之一傅立叶组分、电压和电流之间的相角、任何二个RF发生器参数之间的一相角。89.一种调谐RF讯号输出至RF讯号应用器之方法,其系用在一包括一具有处理气体入口之反应器室之RF电浆反应器中,该反应器室系用以包含有一欲处理的工作件;一RF讯号应用器,它面向该室内部的一部分;一RF讯号发生器,它有一RF频率控制输入并产生一RF讯号,该方法系包括:在该RF讯号发生器和该RF讯号应用器之间提供一固定的调谐电路;在该固定的调谐电路和该RF讯号应用器之间提供一谐波阻抗元件,该谐波阻抗元件之阻抗大于该调谐电路和该发生器基本频率的一个或多个谐波之阻抗。感受在(a)该RF讯号应用器和(b)该RF讯号发生器近其中之一或在其间可测量的一RF参数;并回应该感受器,调整该RF讯号发生器该RF讯号量,使该参数最佳化至如该感受器所感受的预定値。90.依据申请专利范围第89项之方法,其中该参数之该预定値是一极大或一极小値中之一个。91.依据申请专利范围第89项之方法,其中之调整是调整下列发生器参数之一的量:输送电压、输送电流、输送电能、反射电能、电流改变之时间速率、电流和电压之乘积、电压之一傅立叶组分、电压和电流之间的一相角、任何二个RF发生器参数之间的一相角。92.依据申请专利范围第89项之方法,其中该参数包括下列讯号参数之一:输送电压、输送电流、输送电能、反射电能、电流改变之时间速率、电流和电压之乘积、电压之一傅立叶组分、电压和电流之间的相角、任何二个RF发生器参数之间的一相角。93.一种RF电浆反应器,用作在该反应器的一室内处理在一电浆区中的一工作件,该反应器包括:一RF电能应用器,面对该电浆区;一组合单位,包括一RF电能发生器和静电夹盘驱动器,该组合单位产生一基本RF频率和在其一输出的一D.C.夹盘控制电压;一阻抗匹配网,它连接在该RF电能发生器和该RF电能应用器之间;和一谐波阻抗元件,它连接在该阻抗匹配网和该RF电能应用器之间,其中:(a)该谐波阻抗元件在该基本频率有一阻抗,使该阻抗匹配网结合该谐波阻抗元件以该室的负载阻抗在该基本频率提供至少一近似的阻抗匹配,(b)该谐波阻抗元件在该基本频率的谐波频率之阻抗高于该阻抗匹配网在该谐波频率的阻抗,藉以将在电浆鞘中接近该电极所产生的谐波频率与该阻抗匹配网隔离。94.依据申请专利范围第93项之反应器,进一步包括:一输出电容器,连接在该谐波阻抗元件和该RF电能应用器之间。95.依据申请专利范围第94项之反应器,其中该工作件支持物包括一静电夹盘,该反应器进一步包括对该静电夹盘的一D.C.控制电压源,连接在该RF电能发生器和该阻抗匹配网之间,该反应器进一步包括一抗流感应器,并联连接于该输出电容器,该抗流感应器包括从该D.C.控制电压源至该静电夹盘的D.C.电流之通路。96.一种调谐方法,其系用在一包括一具有处理气体入口之反应器室之RF电浆反应器中,该反应器室系用以包含一欲处理的工作件;一RF讯号应用器,它面向该室内部的一部分;和一RF讯号发生器,它有一可控制的RF频率和藉一阻抗匹配网耦合于该RF讯号应用器输入之一RF讯号输出,该方法系包括:将阻抗匹配网与由该室可能产生的该可控制的RF频率之至少一个或多个谐波隔离;推算在该工作件一表面上的离子能量;调整该RF讯号发生器之该频率在一频率范围内,使该离子能量最佳化至少在该频率范围内接近一预定値。97.依据申请专利范围第96项之方法,其中该预定値是在该频率范围内之一极大或极小値中之一个。图式简单说明:第一图是在晶圆基座监测的电浆鞘电压之一理想时间领域波形的图示;第二图是在晶圆基座监测的电浆鞘电压之一腐蚀(微扰的)时间领域波形的图示;第三图是对应第一图的离子能量分布之图示,其中横座标为离子能量而纵座标为离子数目;第四图是对应第二图的离子能量分布之图示;第五图A是前有技术中包括一RF阻抗匹配箱的一电浆反应器之示意图;第五图B阐述第五图A的RF阻抗匹配箱之可饱和的反应器中磁滞后损失,其中横轴为施加的磁场H,而纵轴为感应的磁场B;第五图C阐述RF阻抗匹配电路之一复数的阻抗平面,其中阻抗的实数成分是横轴,而虚数成分是纵轴;第六图是本发明的RF电浆反应器组合的一理想实体之简化示意图;第七图是在各种制程条件下测量的室阻抗之复数値的图示,其中纵轴和横轴分别对应阻抗的虚数和实数部分;第八图是匹配网和谐波阻抗元件结合的阻抗之共轭复数値的图示,其中纵轴和横轴分别对应阻抗的虚数和实数部分;第九图和第十图分别是面向RF发生器的至在RF偏电能输入端之计算的阻抗量和相之图示;第十一图和第十二图分别是计算的阻抗量和相对面向发生器的发生器在输出端之RF发生器频率之函数的图示,发生器是用于能指定实现第六图实体的一种;第十三图阐述从第六图理想的实体之一改造,它使用一固定的频率,其中阻抗匹配伺服器统管在阻抗匹配网中一可变的电容器;第十四图阐述本发明另一理想实体,使用n个谐波阻抗元件,对应于基本的偏RF频率之n谐波;第十五图和第十六图是建议性分别阐述第十四图实体中阻抗匹配和谐波阻抗元件的输出阻抗之量和相;第十七图A阐述调频阻抗匹配设备之一第一实体,它能进行本发明的一调频过程;第十七图B是一选择的可测量参数(诸如输送电能)对RF发生器频率之量的一图示;第十七图C阐述由反应器的线圈天线和块状的调频元件所形成的一共振线路;第十七图D、第十七图E和第十七图F阐述第十七图A的反应器中驱动晶圆基座的各种调频线路;第十八图是阐述在晶圆表面的电浆离子能量分布之图示,其中横轴是离子能量而纵轴是离子数;第十九图是一图阐明第十七图A反应器中晶圆电压之波形;第二十图阐述本发明的一第二实体,它使用有多重电闸绕组的变压器;第二十一图阐述本发明的一第三实体,它使用有多电闸输出的一多线变压器;第二十二图是一方块流程图,阐明本发明基本模式之操作观念;第二十三图是一方块流程图,阐明由源讯号频率伺服器来进行制程的一个实体;第二十四图是一方块流程图,阐明由偏讯号频率伺服器来进行制程的一个实体;第二十五图是本发明一理想实体之简化示意图; 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