| 发明名称 |
APPARATUS AND METHOD FOR HEATING SUBSTRATE OF SEMICONDUCTOR PROCESS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100217486(B1) |
申请公布日期 |
1999.09.01 |
| 申请号 |
KR19910014115 |
申请日期 |
1991.08.16 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS INC. |
发明人 |
ROGEREN, ANDERSON;THOMAS E. DICON;DAVIS K. CARLSON |
| 分类号 |
H01L21/205;C23C16/48;H01L21/00;H01L21/22;H01L21/31;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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