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发明名称 METHOD FOR FORMING OF MULTI-LEVEL INTERCONNECTIONS IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100219562(B1) 申请公布日期 1999.09.01
申请号 KR19960049351 申请日期 1996.10.28
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 PARK, YOUNG-HUN;KO, SUNG-HOON;LEE, JONG-SEOB
分类号 H01L21/3205;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
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