发明名称 半導体装置
摘要 小型でありながら、高速スイッチングに対応した低インダクタンスとすることができる半導体装置を提供する。一ないし複数のパワー半導体チップ(12A,12B)がそれぞれ実装された複数の導電パターン部材(14)と、該導電パターン部材との対向面に前記パワー半導体チップに接続するチップ用棒状導電接続部材(17)及び前記導電パターン部材に接続するパターン用棒状導電接続部材(17a,17b)を配置したプリント基板(16)とを備え、前記導電パターン部材(14)は幅狭部(14b)と幅広部(14a)とで形成され、少なくとも1つの導電パターン部材の幅狭部と前記プリント基板とを前記パターン用棒状導電接続部材(17b)で接続し、前記導電パターン部材と前記プリント基板に前記チップ用棒状導電接続部材を介して接続されている前記パワー半導体チップの間の電流路を形成している。
申请公布号 JPWO2014061211(A1) 申请公布日期 2016.09.05
申请号 JP20140541919 申请日期 2013.09.27
申请人 富士電機株式会社 发明人 仲村 秀世;堀尾 真史
分类号 H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
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