在集成电路中形成沟槽式电容器的改进技术

摘要

公开了一种在衬底内形成包括掩埋板的沟槽式电容器的方法。包括在衬底内形成沟槽。沟槽具有沟槽内表面。还包括在沟槽内形成氧化物轴环。氧化物轴环覆盖沟槽内表面的第一部分，留下沟槽内表面的第二部分未由氧化轴环覆盖。还包括使用等离子体增强的掺杂工艺用第一掺杂剂掺杂沟槽内表面的第二部分。设置等离子体增强的掺杂工艺使第一掺杂剂基本上扩散到第二部分内，且没有在沟槽内表面上淀积附加层。此外，包括使用高温工艺使第一掺杂剂驱入到衬底内形成掩埋板。

主权项

1．一种在衬底内形成包括掩埋板的沟槽式电容器的方法，包括：在所述衬底内形成沟槽，所述沟槽具有沟槽内表面；在所述沟槽内形成氧化物轴环，所述氧化物轴环覆盖所述沟槽内表面的第一部分，留下所述沟槽内表面的第二部分没有被所述氧化轴环覆盖；此后使用等离子体增强的掺杂工艺用第一掺杂剂掺杂所述沟槽内表面的所述第二部分，设置所述等离子体增强的掺杂工艺使所述第一掺杂剂基本上扩散到所述第二部分内，而没有在所述沟槽内表面上淀积附加层；以及使用高温工艺将所述第一掺杂剂驱入到所述衬底内形成所述掩埋板。