| 发明名称 |
CIRCUIT FOR ADJUSTING THRESHOLD VOLTAGE OF FLASH MEMORY CELL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100217911(B1) |
申请公布日期 |
1999.09.01 |
| 申请号 |
KR19950052514 |
申请日期 |
1995.12.20 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS IND. CO.,LTD |
发明人 |
KIM, SEUNG-DUK |
| 分类号 |
G11C17/18;(IPC1-7):G11C17/18 |
主分类号 |
G11C17/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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