发明名称 MANUFACTURING METHOD OF A FIELD EFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR100217710(B1) 申请公布日期 1999.09.01
申请号 KR19910015541 申请日期 1991.09.06
申请人 SONY CORPORATION 发明人 OKUBORA, AKIHIKO;KASAHARA, JIRO
分类号 H01L29/20;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/778 主分类号 H01L29/20
代理机构 代理人
主权项
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