| 发明名称 | 制造一种红外发射发光二极管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造一种红外发射发光二极管的方法，在这种方法中在一个优先由GaAs构成的半导体衬底(1)上被涂上一个层序列，它是由半导体衬底(1)一个第一个AIGaAs－覆盖层(2)，一个包含有GaAs和/或AlGaAs的活性层(3)和一个第二个AlGaAs－覆盖层(4)组成的，其中第一个AlGaAS－－覆盖层(2)和活性层(3)是用一种MOVPE－(金属组织气相外延)－法以及第二个AlGaAs－覆盖层(4)是用一种LPE－法制造的。此外在第二个AlGaAs－覆盖层上用一种LPE－(液相外延)－法沉积上一个厚度至少约为10μm的导电的、在红外光谱范围透光的耦合层(5)。 | ||
| 申请公布号 | CN1227670A | 申请公布日期 | 1999.09.01 |
| 申请号 | CN97197120.X | 申请日期 | 1997.08.04 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | R·泽德尔迈尔;E·尼尔施尔;N·斯塔斯 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/20 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1．制造一种红外发射发光二极管的方法，在一个优先由GaAs构成的半导体衬底(1)上涂上一层当发光二极管运行时发射一束红外射线的活性层，其从半导体衬底(1)出发由一个第一个AlGaAs-覆盖层(2)，一个含有GaAs和/或AlGaAs的活性层(3)和一个第二个AlGaAs-覆盖层组成，其特征在于，第一个AlGaAs-覆盖层(2)和活性层(3)是由一种MOYPE-(金属组织气相外延)-法并且第二个AlGaAs-覆盖层(4)是由一种LPE-(液相外延)-法制成的。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||