| 发明名称 |
DOUBLE-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR OF MOS TYPE WITH INDUCED CHANNEL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
PL325094(A1) |
申请公布日期 |
1999.08.30 |
| 申请号 |
PL19980325094 |
申请日期 |
1998.02.27 |
| 申请人 |
POLITECHNIKA GDANSKA;KORDALSKI WIESLAW |
发明人 |
KORDALSKI WIESLAW |
| 分类号 |
H01L29/772;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/772 |
主分类号 |
H01L29/772 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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