双极型晶体管及半导体装置

摘要

在异质结双极型晶体管的Si发射极层5内的发射结附近区域中设有由组成不同的超薄膜势阱层10a和势垒层10b交互层叠而形成的为多重量子势垒部的MQB层10。借助MQB层10对要从SiGe基极层4流向Si发射极层5的空穴进行反射之作用,实效上提高势垒高度来抑制空穴的反向注入。结果,即使增加基区掺杂浓度,靠MQB层10仍能抑制载流子反向注入,能得到足够的电流放大率,并能提高最大振荡频率。

主权项

1．一种由发射极层、基极层和集电极层构成的双极型晶体管，其特征在于：在上述发射极层内具备多重量子势垒部，该势垒部是把多层势垒层和势阱层交互重叠起来而构成的，并具有为使从上述基极层注入的载流子(发射极层的少数载流子)的入射波和反射波成为互相增强的相位而使载流子反射的功能。