| 摘要 |
<p>금속 질화물 막의 화학적 기상 증착 방법은 수소 활성종에 의해 피처리 기판 위에 자연 산화막을 제거하기 위해 환원하는 공정과, 플라즈마 CVD에 의해 W 또는 Ta와 같은 금속막을 형성하는 공정과, 금속막을 WN 또는 TaN과 같은 금속 질화물 막으로 변환하기 위해 질화제로써 NH 활성종에 의해 금속 막을 질화하는 공정을 포함하여 이루어져 있다. 금속막의 형성과 질화는 다수번 반복될 수 있다. 금속 혼합 가스와 질화 가스가 동시에 CVD 챔버 속으로 도입되지 않기 때문에, 할로겐화 암모늄과 같은 부반응 생성물의 더스트가 경감될 수 있고, HN 활성종에 의한 질화가 빠르게 진행하는 부반응 시스템이기 때문에, 충분히 질화된 금속 질화막이 제공될 수 있다. 방법은 전자 장치를 제조하는 방법에 적용될 수 있다.</p> |
