| 发明名称 | 具有垂直侧壁的亚光刻栅的场效应晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 形成FET尤其是MOSFET的方法,包括:在半导体结构上形成介质叠层;在该介质叠层上界定刻蚀窗;通过使用反应离子刻蚀(RIE)工艺将该刻蚀窗转移到介质叠层中从而在该介质叠层中界定栅孔;淀积侧壁层;从该介质叠层的水平表面除去该侧壁层,使得侧壁隔离层留在该栅孔内以便减少该栅孔的横向尺寸;淀积栅导体,使其充填该栅孔;除去覆盖该栅孔周围的半导体结构部分的栅导体;除去该介质叠层的至少一部分;以及除去该侧壁隔离层。 | ||
| 申请公布号 | CN1226741A | 申请公布日期 | 1999.08.25 |
| 申请号 | CN98126048.9 | 申请日期 | 1998.12.24 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 迪亚尼·C·伯伊德;斯图亚特·M·伯恩斯;侯塞因·I·哈纳非;袁·陶尔;威廉·C·维尔 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，包括下述工序：在半导体结构上形成介质叠层；在该介质叠层上界定刻蚀窗；通过使用反应离子刻蚀(RIE)工艺将该刻蚀窗转移到该介质叠层中从而在该介质叠层中界定栅孔；淀积侧壁层；从水平表面除去该侧壁层，使得侧壁隔离层留在该栅孔内以便减少该栅孔的横向尺寸；淀积栅导体，使其充填该栅孔；除去该栅孔外面的栅导体；除去该介质叠层的至少一部分；以及除去该侧壁隔离层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||