半导体制造过程中非保形器件层的平面化

摘要

从形成于复杂图形之上的非保形器件层形成一基本上平面的表面,它包括带有窄间隙的窄图形和带有宽间隙的宽图形。在非保形层上沉积一保形层。该表面然后被抛光,以暴露宽图形上的非保形层。然后,用对非保形层具有选择性的蚀刻基本除去宽图形之上的非保形层。然后,除去保形层,暴露非保形层。和以前相比,现在的非保形层的厚度更加均匀。这就使抛光可以形成一平表面,其宽间隙内的表面凹隔减少了。

主权项

1．一种在制造集成电路过程中用于使非保形膜平面化的方法，包括：提供一基底，其中，基底的表面包括由窄间隙隔开的窄图形和由宽间隙隔开的宽图形；在基底表面上沉积一非保形器件层，以填充窄和宽间隙，非保形器件层在宽图形上的厚度大于在窄图形上的厚度；在非保形层上沉积一保形层，其中，下置非保形层的形貌反应在保形层的表面上；使保形层平面化，用非保形层作为停止层，该平面化过程在保形层和非保形层之间形成一平表面，其中，宽图形之上的非保形层被暴露；蚀刻非保形层，其对保形层具有选择性，除了宽图形的边缘处小部分被保形层保护外，宽图形上的非保形层都被除去；用蚀刻除去保形层，蚀刻使非保形层保持在窄图形的表面上和宽图形的边缘的小部分上；和用抛光来形成带有宽和窄图形表面的平的表面，其中，抛光产生一基本上平面的表面，其在宽间隙上的表面凹隔减少了，因为宽图形上的非保形层基本上被除去。