| 发明名称 |
P-type nitrogen compound semiconductor and method of manufacturing same |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0881666(A3) |
申请公布日期 |
1999.08.25 |
| 申请号 |
EP19980109371 |
申请日期 |
1998.05.22 |
| 申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
ASATSUMA, TSUNENORI;YANASHIMA, KATSUNORI;MIYAJIMA, TAKAO |
| 分类号 |
H01L21/203;H01L21/205;H01L29/205;H01L29/207;H01L33/32;H01S5/00;H01S5/323;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/203 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
